Продукция
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Артикул:
- PDTC114ET,215
- Артикул:
- PDTC114ET,215
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo):
- 50V
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Артикул | PDTC114ET,215 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo) | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип транзистора | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) | 30 |
| Рабочая температура | -65℃ – +150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота (fT) | 230MHz |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 6
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Открыть английский оригинал
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
