Продукция
NX7002BKR
NX7002BKR · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Артикул:
- NX7002BKR
- Артикул:
- NX7002BKR
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 60V
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Артикул | NX7002BKR |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Постоянный ток стока (Id) | 270mA |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 310mW |
| Пороговое напряжение (Vgs(th)) | 2.1V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 23.6pF |
| Рабочая температура | -55℃ – +150℃ |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 2
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 1nC@10V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Открыть английский оригинал
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
