Продукция
BUK9Y15-60E,115
BUK9Y15-60E,115 · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Артикул:
- BUK9Y15-60E,115
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 60V
- Постоянный ток стока (Id):
- 53A
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Постоянный ток стока (Id) | 53A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32W |
| Пороговое напряжение (Vgs(th)) | 2.1V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 137pF |
| Рабочая температура | -55°C – +175°C |
| Тип | N-канал |
| Выходная ёмкость (Coss) | 74 PF |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 4
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Product Model | BUK9Y15-60E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 49mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17.2nC@5V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Открыть английский оригинал
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
