Продукция
BC857B-QR
BC857B-QR · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Артикул:
- BC857B-QR
- Тип транзистора:
- PNP
- Ток коллектора (Ic):
- 100mA
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo) | 65V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) | 125 |
| Граничная частота (fT) | 100MHz |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Рабочая температура | -65℃ – +150℃ |
| Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo) | 5V |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 3
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Product Model | BC857B-QR |
|---|---|
| Product Catalogue | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Collector-Base Offset Current (Icbo) | 15nA |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
