Продукция
SST112
SST112 · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Артикул:
- SST112
- Тип полевого транзистора:
- N-канал
- Максимальная мощность:
- 350 MW
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Серия | SST112 |
| Производитель | Linear Integrated Systems, Inc. |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Максимальная мощность | 350 MW |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | SOT-23-3 |
| Корпус | Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 3
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35 V |
|---|---|
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
