Продукция
IJW120R100T1FKSA1
IJW120R100T1FKSA1 · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Infineon Technologies
- Артикул:
- IJW120R100T1FKSA1
- Тип полевого транзистора:
- N-канал
- Максимальная мощность:
- 190 W
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Серия | CoolSiC™ |
| Производитель | Infineon Technologies |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Максимальная мощность | 190 W |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Выводной монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | PG-TO247-3 |
| Корпус | Трубчатая упаковка |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 6
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5 µA @ 1200 V |
| Current Drain (Id) - Max | 26 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 19.5V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 100 MOhms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
