Продукция
2SK3666-4-TB-E
2SK3666-4-TB-E · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Onsemi
- Артикул:
- 2SK3666-4-TB-E
- Тип полевого транзистора:
- N-канал
- Максимальная мощность:
- 200 MW
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Производитель | Onsemi |
| Базовый артикул | 2SK3666 |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Максимальная мощность | 200 MW |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | SMCP |
| Корпус | Лента и катушка (TR) |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 7
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.5 MA @ 10 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 180 MV @ 1 µA |
| Current Drain (Id) - Max | 10 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistance - RDS(On) | 200 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
