Продукция
JFE2140DR
JFE2140DR · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Texas Instruments
- Артикул:
- JFE2140DR
- Рабочая температура:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа:
- Поверхностный монтаж
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Производитель | Texas Instruments |
| Базовый артикул | JFE2140 |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | 8-SOIC |
| Корпус | Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 6
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 1.5 V @ 0.1 µA |
| Current Drain (Id) - Max | 50 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
