Продукция
2SK879-Y(TE85L
2SK879-Y(TE85L · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Артикул:
- 2SK879-Y(TE85L
- Тип полевого транзистора:
- N-канал
- Максимальная мощность:
- 100 MW
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Производитель | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Базовый артикул | 2SK879 |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Максимальная мощность | 100 MW |
| Рабочая температура | 125°C (TJ) |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | USM |
| Корпус | Лента и катушка (TR) Отрезанная лента (CT) |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 3
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2 MA @ 10 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 400 MV @ 100 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
