Продукция
J111RL1G
J111RL1G · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Onsemi
- Артикул:
- J111RL1G
- Тип полевого транзистора:
- N-канал
- Рабочая температура:
- -65°C ~ 150°C (TJ)
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Производитель | Onsemi |
| Базовый артикул | J111 |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Максимальная мощность | 350 MW |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Выводной монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | –-92 (–-226) |
| Корпус | Лента и катушка (TR) |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 4
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 3 V @ 1 µA |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohms |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
