Продукция
2N5115UB
2N5115UB · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Microchip Technology
- Артикул:
- 2N5115UB
- Тип полевого транзистора:
- P-канал
- Максимальная мощность:
- 500 MW
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) |
| Серия | Военная серия, MIL-PRF-19500 |
| Производитель | Microchip Technology |
| Базовый артикул | 2N5115 |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | P-канал |
| Максимальная мощность | 500 MW |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Обозначение корпуса производителя | UB |
| Корпус | Россыпью |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 6
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 6 V @ 1 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
