Продукция
MBR30100PT
MBR30100PT · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Производитель:
- Manufacturer
- Артикул:
- MBR30100PT
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Характеристики предоставляются по запросу.
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Артикул | MBR30100PT |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Открыть английский оригинал
Manufacturer:StandardPackaging:TubeProduct Category:MOSFETBrand:standardRoHS: DetailsConfiguration:SingleTechnology:SiFall Time:77 nsMounting Style:Through HoleHeight:16.3 mmPackage / Case:TO-220-3Length:10.67 mmTransistor Polarity:N-ChannelProduct Type:MOSFETNumber of Channels:1 ChannelRise Time:69 nsVds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 VFactory Pack Quantity:50Id - Continuous Drain Current:9.5 ASubcategory:MOSFETsRds On - Drain-Source Resistance:730 mOhmsTransistor Type:1 N-ChannelVgs - Gate-Source Voltage:- 30 V, + 30 VType:MOSFETMinimum Operating Temperature:- 55 CTypical Turn-Off Delay Time:144 nsMaximum Operating Temperature:+ 150 CTypical Turn-On Delay Time:23 nsPd - Power Dissipation:156 WWidth:4.7 mmChannel Mode:EnhancementPart # Aliases:MBR30100PT_NLSeries:MBR30100PTUnit Weight:0.068784 oz
