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AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4859UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJZ594JBTF · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK3372GUL · 다이오드 및 트랜지스터제조사Panasonic Electronic ComponentsFET 유형N채널동작 온도-20°C ~ 80°C (TA) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N5114UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PN4092_D74Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJX597JCTF · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK2593GQL · 다이오드 및 트랜지스터제조사Panasonic Electronic ComponentsFET 유형N채널동작 온도125°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4856UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.P1086 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4091UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
