AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4118A-E3 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Vishay SiliconixFET 유형N채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J175_D74Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4117A-2 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Vishay SiliconixFET 유형N채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.JFE150DBVT · 다이오드 및 트랜지스터제조사Texas InstrumentsFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J174 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PMBFJ113 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형N채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N2608UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4858U · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.TF208TH-5-TL-H · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK3372GTL · 다이오드 및 트랜지스터제조사Panasonic Electronic ComponentsFET 유형N채널동작 온도-20°C ~ 80°C (TA) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MV2N5116UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
