MBR6200_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 6 A
전자 부품
VS-8ETL06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 8 A
V20K170-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 170 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.02 V @ 20 A
NSB8MT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
VS-50WQ03FNTRRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 460 MV @ 5 A
CMSH3-100 · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 3 A
S12KC · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 12 A
QRT10A06D_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.4 V @ 10 A
AU2PGHM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 2 A
AR3PJHM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
AR3PDHM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
1N5417-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 9 A