JANTXV1N5623/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 1 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
전자 부품
JAN1N5417US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 9 A
JAN1N5419/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 9 A
VS-60EPF02-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 60 A
JAN1N4942/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
1N482B/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
MIL-PRF-19500/116 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
1N4938UR-1 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 175 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
CDLL4148/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
VS-MBRB1045TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
ES3DB · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 3 A