V3NM103HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 120 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 690 MV @ 3 A
전자 부품
SE30NJ-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
CRF02(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3 V @ 500 MA
V3NM63HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 3 A
SE20NJHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
FR2J_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
PMEG60T30ELR-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.8 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 3 A
ERT2AAFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
GV804B_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A