전자 부품
SE30AFDHM3/6A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
1SS360 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
ES07D-M-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 1 A
UF2G_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
VS-3EAH02-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 960 MV @ 3 A
BAS40HYFHT116 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
TSU1M45H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
SE8D20D-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
MER3DBF_R1_00701 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 3 A
