VS-MBRB1035TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
전자 부품
VI20120S-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A
RFVS8TJ6SGC9 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3 V @ 8 A
VS-MBRB1045-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
VS-MBRB1045TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
SE20DBHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 20 A
SS24 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 2 A