SF808G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
전자 부품
BYV28-050-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 5 A
VS-15EWX06FNTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 15 A
BYWF29-50-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
SDURK10Q60 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.3 V @ 10 A
VS-15EWX06FNTRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 15 A
SE20DGHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 20 A
VS-15EWH06FNTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.1 V @ 15 A
VS-15AWL06FNTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 15 A
SJPB-L6VL · 전자 부품
- 제조사
- Sanken Electric USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 3 A