전자 부품
BYWB29-150HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
VS-ETU1506STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.07 V @ 15 A
GIB1402-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
VS-ETX1506STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 36 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.4 V @ 15 A
VS-ETX1506-1-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 36 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.4 V @ 15 A
BYWB29-100HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
VS-ETU1506STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.07 V @ 15 A
EU02AV1 · 전자 부품
- 제조사
- Sanken Electric USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 1 A
FESB8BT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A
