BYWB29-200HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
전자 부품
SFF2006GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 10 A
ES2C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
JAN1N914/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 50 MA
BYWB29-50HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
SFF2008G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 10 A
VS-ETX1506STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 36 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.4 V @ 15 A
GP30J-E3/73 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
SFS1604G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
VS-ETL1506STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.45 V @ 15 A
VS-MBRB1045HM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 20 A