UGB10CCTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
전자 부품
MSS1P5HM3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 680 MV @ 1 A
BAT400D-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 500 MA
V3FL45-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 750 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 3 A
MBD4448HADW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 250mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
S1PK-M3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
FS2GFL-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
B350A-E3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 720 MV @ 3 A
UGF10CCTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
S1K-E3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
TRS24N65FB · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 12A (DC)
- 동작 접합 온도
- 175°C (Max)
BAT43WS-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 15 MA
RB051M-2YTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 900 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 460 MV @ 3 A