전자 부품
GPP20J-E3/73 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
SK310BH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 3 A
SB140L_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 1 A
VS-2EAH02-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
RS1G-E3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
FR3JBFL-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
RBR3LAM60ATFTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 660 MV @ 3 A
MBR1150_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 1 A
CUHS10F60 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 60 V
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)