SE8D30GHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
전자 부품
RS2DAF-T · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
BYG21M-M3/TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 1.5 A
ER303_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A
VSS8D3M15-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 180 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 760 MV @ 1.5 A
SE30NDHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
1N5407G-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
PMEG45T20EXD-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 2 A