전자 부품
ES1JFSH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
RBR2LAM60BTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 2 A
LL103A-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
ES1BFSH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 1 A
SE8D30DHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
SE30AFD-M3/6A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
SS1H10HM3_B/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 770 MV @ 1 A
