1N3600/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
전자 부품
SF2005PT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 20 A
1N4154 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 MA
VS-10WQ045FNTRRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 10 A
VS-A5PH3006L-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 30 A
1N4154/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 MA
GC02MPS12-220 · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 2 A
FESB16ATHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
FESB16DTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
VS-18TQ045STRRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
TST30H120CW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 15 A
1N3600 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
VS-10WQ045FNTRLHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 10 A
