SF2008PTH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 20 A
전자 부품
TST30H100CW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 780 MV @ 15 A
IDH03SG60CXKSA2 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.3 V @ 3 A
VS-10ETF06FP-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 10 A
V30K202HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.04 V @ 30 A
VS-10ETF04FP-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 10 A
SF2008PT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 20 A
SR1502 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 15 A
TST40L150CW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 860 MV @ 20 A
VS-10WQ045FNHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 10 A
DSC04065D1 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 170 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 4 A
VS-A5PX3006L-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.1 V @ 30 A
VS-A5PH3006LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 30 A
VS-18TQ045STRLHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
