제품
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · 다이오드 및 트랜지스터
제품 정보
- 부품 번호:
- PDTC114ET,215
- 부품 번호:
- PDTC114ET,215
- 컬렉터-이미터 항복 전압 (Vceo):
- 50V
견적 요청
가격, 재고 및 납기는 견적서에서 확인합니다.
견적 요청기술 사양
동일 모델 · 일관된 매개변수
전기적 특성
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 부품 번호 | PDTC114ET,215 |
| 컬렉터-이미터 항복 전압 (Vceo) | 50V |
| 컬렉터 전류 (Ic) | 100mA |
| 소비 전력 (Pd) | 250mW |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 직류 전류 이득 (hFE) | 30 |
| 동작 온도 | -65℃ – +150℃ |
| 컬렉터-이미터 포화 전압 (VCE(sat)) | 100mV |
| 천이 주파수 (fT) | 230MHz |
일치하는 매개변수가 없습니다
해당 모델의 매개변수입니다. 패키지와 시험 조건은 제조사 데이터시트를 확인하세요.
원본 항목 · 영어 · 6
일부 원본 항목은 번역 대기 중이며 아래에 영어로 별도 표시됩니다.
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
제품 개요
번역된 개요가 아직 없습니다. 아래에 해당 모델의 매개변수가 표시됩니다.
영어 원본 보기
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
