30SQ045-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 30 A
제품
VS-10ETS10S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 10 A
VS-18TQ035STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
SR1203 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 12 A
VS-10ETS10STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 10 A
VS-MBRB1635TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
VS-MBRB1635TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
VS-MBRB1645TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
JAN1N4148-1/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
GIB1404HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
GIB1401HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A