SFS1608GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
제품
V35DM120HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.2 MA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 35 A
VS-30WQ04FNHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A
VS-30WQ04FNTRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A
VS-30WQ04FNTRLHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A
GIB1402HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
STPSC2H065BY-TR · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.55 V @ 2 A
TSSD20L45SW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 20 A
GIB1402HE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
VF20120S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A