FESB16JTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 16 A
제품
TST10H200CW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 910 MV @ 5 A
VS-18TQ045SHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
FESB16HTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 16 A
VS-EPU3006L-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 30 A
IDP15E60XKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 15 A
VS-EPH3006L-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.65 V @ 30 A
CD4150 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
1N4153/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 20 MA
VS-25ETS10STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.14 V @ 25 A
1N4448/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 NA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
1N4449/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 NA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 MA