제품
FESB16BTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
FESF16ATHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
1N6676/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 200 MA
GP30M-E3/73 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
RFN20TF6SFH · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.55 V @ 20 A
VS-30ETU12THN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 145 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.68 V @ 30 A
FESF16DTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
TST10H150CW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 5 A
VS-10ETF06-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 10 A