VS-20ETF04STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
제품
SICRD5650 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 60 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A
VS-20ETF04S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
IDP45E60XKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 45 A
1N6675/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 200 MA
VS-20ETF10STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
STTH10R04D · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 10 A
VS-20ETF08S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
VS-E5TX3012THN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.3 V @ 30 A
VS-E4PU3006LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 30 A
1N4153UR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 20 MA