WNSC6D08650Q · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 8 A
제품
VS-8EWS16STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
DSEP15-06BS-TRL · 전자 부품
- 제조사
- IXYS
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.54 V @ 15 A
VS-8EWS16STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
VS-20ETF06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
VS-20ETF12STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
SDURS30Q60WT · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 30 A
VS-8EWS12STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
VS-20ETF02STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
VS-8EWS08STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
SFAF504G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 5 A