RFN10BM6STL · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.55 V @ 10 A
제품
MURS140HE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 1 A
BAT83S-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 15 MA
RB048RSM15STFTL1 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3.7 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 8 A
NXPSC04650B6J · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 170 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 4 A
S1KLHR3G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
BYS12-90-M3/TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 1 A
CRH02(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 500 MA
1N5820 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 475 MV @ 3 A
VS-8EWS16SLHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
PMEG4020ETR-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 2 A
RB078BM30SFHTL · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 720 MV @ 5 A
SR310H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 3 A
SK53BH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 5 A