GP10KE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 1 A
제품
B340AF-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
E4D02120E-TR · 전자 부품
- 제조사
- Wolfspeed, Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 2 A
GP10BE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
S3JBHR5G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 3 A
STTH3002G-TR · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 30 A
GP10-4002E-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 기술
- 표준
- 최대 DC 역전압 (Vr)
- 100 V
NXPSC06650B6J · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 6 A
ES2A-LTP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
VS-E5TH3006S2L-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 30 A
ER1QG-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.85 V @ 1 A
B140HB-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 1 A
BAS16HYT116 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
V35PW22-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 350 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 990 MV @ 35 A
RB162M-60TR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 1 A