製品
BUK7K6R8-40E,115
BUK7K6R8-40E,115 · ダイオード・トランジスター
製品情報
- 型番:
- BUK7K6R8-40E,115
- ドレイン・ソース間電圧（Vdss）:
- 40V
- 連続ドレイン電流（Id）:
- 40A
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同一型番・一貫したパラメーター
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 連続ドレイン電流（Id） | 40A |
| 許容損失（Pd） | 64W |
| しきい値電圧（Vgs(th)） | 4V |
| 入力容量（Ciss） | 1.46nF |
| 種類 | Nチャンネル |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 4
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Product Model | BUK7K6R8-40E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 9.1nC@20V |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
英語の原文を表示
A dual-channel standard-level N-channel MOSFET utilising TrenchMOS technology, packaged in LFPAK56D (dual Power-SO8). This product has been designed and certified to AEC Q101 standards, making it suitable for high-performance automotive applications.
