製品
PMV100EPAR
PMV100EPAR · ダイオード・トランジスター
製品情報
- 型番:
- PMV100EPAR
- 型番:
- PMV100EPAR
- ドレイン・ソース間電圧（Vdss）:
- 60V
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同一型番・一貫したパラメーター
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 型番 | PMV100EPAR |
| ドレイン・ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 連続ドレイン電流（Id） | 2.2A |
| 許容損失（Pd） | 8.3W |
| 入力容量（Ciss） | 616pF |
| 帰還容量（Crss） | 26pF |
| 動作温度 | -55℃ – +175℃ |
| 種類 | Pチャンネル |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 3
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17nC@10V |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
英語の原文を表示
A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.
