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PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · ダイオード・トランジスター
製品情報
- 型番:
- PDTC114ET,215
- 型番:
- PDTC114ET,215
- コレクター・エミッター間降伏電圧（Vceo）:
- 50V
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同一型番・一貫したパラメーター
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 型番 | PDTC114ET,215 |
| コレクター・エミッター間降伏電圧（Vceo） | 50V |
| コレクター電流（Ic） | 100mA |
| 許容損失（Pd） | 250mW |
| トランジスターの種類 | NPN |
| 直流電流増幅率（hFE） | 30 |
| 動作温度 | -65℃ – +150℃ |
| コレクター・エミッター間飽和電圧（VCE(sat)） | 100mV |
| トランジション周波数（fT） | 230MHz |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 6
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
英語の原文を表示
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
