製品
BUK9Y25-60E,115
BUK9Y25-60E,115 · ダイオード・トランジスター
製品情報
- 型番:
- BUK9Y25-60E,115
- ドレイン・ソース間電圧（Vdss）:
- 60V
- 連続ドレイン電流（Id）:
- 34A
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同一型番・一貫したパラメーター
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 連続ドレイン電流（Id） | 34A |
| 許容損失（Pd） | 65W |
| しきい値電圧（Vgs(th)） | 2.1V |
| 動作温度 | -55°C – +175°C |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 5
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Product Model | BUK9Y25-60E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 21.5mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17.2nC@5V |
| Input Capacitance (Ciss) | 12nC@5V |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
英語の原文を表示
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
