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製品

BUK9K13-60EX

BUK9K13-60EX · ダイオード・トランジスター

製品情報

型番:
BUK9K13-60EX
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):
60V
連続ドレイン電流(Id):
40A

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技術仕様

同一型番・一貫したパラメーター

電気的特性

パラメーター値
ドレイン・ソース間電圧(Vdss)60V
連続ドレイン電流(Id)40A
許容損失(Pd)64W
しきい値電圧(Vgs(th))2.1V
入力容量(Ciss)2.953nF
動作温度-55℃ – +175℃

この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。

原文の項目・英語 · 4

一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。

Product ModelBUK9K13-60EX
Product CatalogueMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
On-Resistance (RDS(on))12.5mΩ@5V
Gate Charge (Qg)22.4nC@5V

製品概要

翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。

英語の原文を表示

Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.

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