製品
BC857B-QR
BC857B-QR · ダイオード・トランジスター
製品情報
- 型番:
- BC857B-QR
- トランジスターの種類:
- PNP
- コレクター電流（Ic）:
- 100mA
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同一型番・一貫したパラメーター
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| トランジスターの種類 | PNP |
| コレクター電流（Ic） | 100mA |
| コレクター・エミッター間降伏電圧（Vceo） | 65V |
| 許容損失（Pd） | 250mW |
| 直流電流増幅率（hFE） | 125 |
| トランジション周波数（fT） | 100MHz |
| コレクター・エミッター間飽和電圧（VCE(sat)） | 250mV |
| 動作温度 | -65℃ – +150℃ |
| エミッター・ベース間降伏電圧（Vebo） | 5V |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 3
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Product Model | BC857B-QR |
|---|---|
| Product Catalogue | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Collector-Base Offset Current (Icbo) | 15nA |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
