製品
2N5114
2N5114 · ダイオード・トランジスター
製品情報
- メーカー:
- Linear Integrated Systems, Inc.
- 型番:
- 2N5114
- FETの種類:
- Pチャンネル
- 最大電力:
- 500 MW
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同一型番・一貫したパラメーター
製品識別情報
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| カテゴリー | ディスクリート半導体 トランジスター 接合型FET（JFET） |
| シリーズ | 2N5114 |
| メーカー | Linear Integrated Systems, Inc. |
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| FETの種類 | Pチャンネル |
| 最大電力 | 500 MW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
パッケージ・機械仕様
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 実装方式 | スルーホール実装 |
| メーカー指定パッケージ | –-18-3 |
| パッケージ／ケース | バルク |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 3
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Resistance - RDS(On) | 75 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
