製品
J112
J112 · ダイオード・トランジスター
製品情報
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 型番:
- J112
- FETの種類:
- Nチャンネル
- 最大電力:
- 400 MW
見積もり依頼
価格、在庫、納期は見積もり時に確認いたします。
見積もり依頼技術仕様
同一型番・一貫したパラメーター
製品識別情報
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| カテゴリー | ディスクリート半導体 トランジスター 接合型FET（JFET） |
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 基本製品番号 | J112 |
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| FETの種類 | Nチャンネル |
| 最大電力 | 400 MW |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
パッケージ・機械仕様
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 実装方式 | スルーホール実装 |
| メーカー指定パッケージ | –-92-3 |
| パッケージ／ケース | テープ＆ボックス（TB） |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 6
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
