MBR2X100A045 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
Componenti elettronici
PCDP15120G1_T0_00001 · Componenti elettronici
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 140 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 15 A
MSRT100160AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
CMPD2004 · Componenti elettronici
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
DMA240YC1600NA · Componenti elettronici
- Produttore
- IXYS
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 240A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
IDW32G65C5BXKSA2 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 16 A
MBR2X080A200 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
ES3GB · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.13 V @ 3 A
· Componenti elettronici
- Produttore
- WAGO Corporation
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 6.3A
- Temperatura di giunzione operativa
- -25°C ~ 40°C
FFSH3065A · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
SVM845L_R1_00001 · Componenti elettronici
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 250 µA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 500 MV @ 8 A
VS-HFA70FA120 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 70A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
PCDH20120G1_T0_00601 · Componenti elettronici
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X080A080 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
SK835L-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 35 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 650 MV @ 8 A
VS-VSKC56/06 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
FFSH20120A-F155 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.75 V @ 20 A
MUR2X100A12 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C