JANTXV1N4148UBD · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 200°C
Componenti elettronici
RS1BLHR3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 800 MA
MSRT150100AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BAT54QCZ · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
GSXD120A010S1-D3 · Componenti elettronici
- Produttore
- SemiQ
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 120A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
RB021VA90TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 900 µA @ 90 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 490 MV @ 200 MA
MBR2X100A200 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
1N4045 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 15 MA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 300 A
ES2CHE3_A/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 900 MV @ 2 A
300CNQ035 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBR2X100A120 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
NDSH50120C · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.75 V @ 50 A
MUR2X030A04 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
· Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1.5 A
MSRT250160A · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
PCDP20120G1_T0_00001 · Componenti elettronici
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X100A080 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
1N5822H · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 525 MV @ 3 A