BYC10-600 · Componenti elettronici
- Produttore
- WeEn Semiconductors
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.9 V @ 10 A
Componenti elettronici
MBRT30030L · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SBR02M30LP-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 610 MV @ 200 MA
SBRT30U45CT · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5811US/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
MBRF200200 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-10TQ045-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 MA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 670 MV @ 20 A
MBRT120150 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1PS70SB82 · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 NA @ 1 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 700 MV @ 30 MA
MBR2045CT-G1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N4248US/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Contenitore / involucro
- Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)
MBRF200100R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-15ETH06-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.2 V @ 15 A
CMLD6001 · Componenti elettronici
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
SS110L · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 1 A
MBR60040CTL · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5551US · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 9 A
MBRF12030R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C