FST6360M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
Componenti elettronici
1N5189US/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 500 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.5 V @ 9 A
MBRT500200 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-ETX1506FP-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 36 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 3.4 V @ 15 A
MBRF30030R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
NTE5951 · Componenti elettronici
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 MA @ 500 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.5 V @ 15 A
FST6330M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
US2KA · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1.5 A
MBR20150SCTF-E1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
MBRF1645-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 630 MV @ 16 A
MBRT40045L · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RB060MM-60TFTR · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 610 MV @ 2 A
MBRF300100R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-16FR100 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 12 MA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.23 V @ 50 A
DCG010-TL-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
VS-ETL1506-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.07 V @ 15 A
MBRF20060R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
NTE5822 · Componenti elettronici
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.4 V @ 12 A