D16-4148E3/TU · Componenti elettronici
- Produttore
- Microsemi Corporation
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
Prodotti
BAV103 · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
VS-25CTQ045STRLPBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
APT60D120BG · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.5 V @ 60 A
FST8360M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RGP10ME-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
MAD1105E3/TU · Componenti elettronici
- Produttore
- Microsemi Corporation
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
- Contenitore del produttore
- 14-DIP
PU1JLS · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.5 V @ 1 A
MURT40060R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
STTH3006W · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.85 V @ 30 A
VS-HFA08TB120STRLP · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 3.3 V @ 8 A
1N4936RLG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
FST8340M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
IDW40E65D2FKSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.3 V @ 40 A
NXPS20S100CX · Componenti elettronici
- Produttore
- WeEn Semiconductors
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- 175°C (Max)
1N4934RLG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
MURT30005R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
PU1JFS · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.5 V @ 1 A